佐卡伊钻石 资讯首页 珠宝首饰 钻石

合成钻石的低压法

 

  合成钻石的低压法,以下是佐卡伊小编为你收集的相关信息,希望能帮助到您。佐卡伊同样钻石,便宜一半。佐卡伊珠宝触电8年了,他利用互联网信息技术优化钻石珠宝供应链、颠覆传统钻石的销售模式,榨干钻石暴利最后一滴水。为大众创造了一个"低价格"、"高品质"、"重信誉"的购物平台。
 
  低压法是在钻石亚稳区(常压或低压条件下)进行外延生长钻石的一种方法。具体方法有以下几种:
 
  1。气相法
  以气态含碳物质作碳源的生长钻石技术,是把甲烷、乙烷、丙烷、丙酮等气体在1 000℃左右和分压在0。 1~1 mm水银柱高的范围内通过钻石晶种,分解出的碳沉淀在晶种上并外延生长钻石。此法生长速率慢、颗粒很细。
 
  2。液相外延生长法
  以液态含碳物质为碳源的生长钻石技术,是利用温度和电解原理,把碳质原料在高温区熔进金属或合金熔体中,并在低温区析出碳作碳源,或使含碳液体电解出碳的离子,在晶种上外延生长钻石。所用的金属有铅、铜、铝、铋、金、银、锑、锡、锗等及它们的合金,在高温约1600℃熔融,低温约12 50℃生长钻石,其生长速率约2。5mm/d(毫米/天)。所用的液体有好几种,如氟氯烷,电极上覆盖着氟化碳、钻石粉、硅、锗、碳化硅等作基底,用交流电源或脉冲直流电源进行电解。美国曾提出用此法生长大钻石单晶。
 
  3。气一液固相外延法
  以气、液态含碳物质作碳源的生长钻石技术,是用6000 W氙灯作热源,用稍低于常压的含碳气体(如甲烷)充入灯内,焦点处放装有钻石晶种的石英容器,热解反应得到的碳通过熔(溶)媒金属到晶种表面进行外延生长。用这种方法得到的钻石,其直径为10~50 mm,长2 mm的晶须和直径约0。1 mm的球状钻石,生长速率平均10um/h(微米小时),最大可达100~400u耐h。1 970隼在晶种的(111)面上长成了直径为80um、长120 um的晶须。
 
  4。常压高温合成法
  是用常压高温冶炼技术获得钻石的方法。冶炼温度一般为1400~1800℃,保温半小时或更长,冷却时间达几小时。生长的钻石为0。 1~0。5 mm,个别曾超过0。5 mm。
 
  5。地下核爆炸法
  此法利用核爆炸产生极高压高温条件,采取一定措施,可达到高产、颗粒大、成本低的目的。

标签

相关阅读

粤ICP备11102294号 佐卡伊版权所有